射频前端是一种高集成度的射频器件，通常集成了功率放大器、低噪声放大器、收发开关等射频前端器件，集成度高，过去常见于手机和WiFi等功率较低、体积较小的通信设备。而随着5G Massive MIMO等先进通信技术的发展，在基站侧，尤其是5G宏基站、小基站等设备的射频通道数急剧增加，是3G/4G基站的数十倍，通道数的增加对射频电路的集成度和体积提出了苛刻的要求，由于基站等设备发射功率较高，所以功率放大器部分通常采用氮化镓或者是LDMOS等高功率器件实现，无法集成到射频前端内部，所以在5G宏基站、小基站等应用中最常见的是将大功率收发开关、低噪声放大器等集成到一起做成接收射频前端模组，实现射频电路的小型化。

相较于友商的MCM多芯片射频前端模组，安其威更进一步，开发了双通道大功率接收射频前端，这是真正意义上的单片射频前端，在单颗硅芯片上集成了双通道大功率开关和低噪声放大器，每通道可以承受平均功率高达20W的LTE信号(9dB峰均比)，同时在接收模式也可以承受较大功率的输入信号，最大限度提高了接收前端的可靠性和鲁棒性。安其威推出了多款射频前端芯片，涵盖了单通道和双通道，大功率和小功率版本，适用于Sub 6GHz以下的各类宏基站、小基站应用。