接收射频前端
射频前端是一种高集成度的射频器件，通常集成了功率放大器、低噪声放大器、收发开关等射频前端器件，集成度高，过去常见于手机和WiFi等功率较低、体积较小的通信设备。而随着5G Massive MIMO等先进通信技术的发展，在基站侧，尤其是5G宏基站、小基站等设备的射频通道数急剧增加，是3G/4G基站的数十倍，通道数的增加对射频电路的集成度和体积提出了苛刻的要求，由于基站等设备发射功率较高，所以功率放大器部分通常采用氮化镓或者是LDMOS等高功率器件实现，无法集成到射频前端内部，所以在5G宏基站、小基站等应用中最常见的是将大功率收发开关、低噪声放大器等集成到一起做成接收射频前端模组，实现射频电路的小型化。
相较于友商的MCM多芯片射频前端模组，安其威更进一步，开发了双通道大功率接收射频前端，这是真正意义上的单片射频前端，在单颗硅芯片上集成了双通道大功率开关和低噪声放大器，每通道可以承受平均功率高达20W的LTE信号(9dB峰均比)，同时在接收模式也可以承受较大功率的输入信号，最大限度提高了接收前端的可靠性和鲁棒性。安其威推出了多款射频前端芯片，涵盖了单通道和双通道，大功率和小功率版本，适用于Sub 6GHz以下的各类宏基站、小基站应用。
特点 / Characteristic
单片全集成
小体积
抗烧毁
低成本
应用 / Characteristic
5G NR AAU
Small Cell
Part
Number
|
Function | Channels | Freqmin(GHz) | Freqmax(GHz) | IL@Tx(dB) | Pavg(9dB PAR)@Tx(W) | Gain@Rx(dB) | OP1dB@Rx(dBm) | NF@Rx(dB) | OIP3@Rx(dBm) | Package |
ARW7220ARW7220
|
Dual Channel FEM | 2 | 2.3 | 2.7 | 1.5 | 10 | 32.5 | 13 | 1.5 | 26 | 40 Lead
QFN 6x6 |
ARW7221ARW7221
|
Dual Channel FEM | 2 | 3.3 | 4 | 1.5 | 10 | 30.5 | 13 | 1.7 | 25.5 | 40 Lead
QFN 6x6 |
ARW7120ARW7120
|
Single Channel FEM | 1 | 2.3 | 2.7 | 0.4 | 1 | 31 | 14 | 1.4 | 27 | 16 Lead
QFN 3x3 |
ARW7121ARW7121
|
Single Channel FEM | 1 | 3.3 | 4.2 | 0.5 | 1 | 30 | 14 | 1.6 | 25 | 16 Lead
QFN 3x3 |
ARW7122ARW7122
|
Single Channel FEM | 1 | 4.4 | 5 | 0.6 | 1 | 30 | 14 | 1.8 | 24 | 16 Lead
QFN 3x3 |